2023年9月22日  碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。

2021年12月6日  碳化硅领域的研究持续多年，已具备6 英寸碳化硅的长晶技术和晶片加工 工艺，已成功开发出碳化硅长晶炉、抛光机、外延等设备，打造设备+材 料的平台型公

2023年7月14日  2）芯片制造和封装制造设备：碳化硅外延设备加速突破。公司由硅片设备延伸至芯片制造和 封装制造端，开发出晶圆及封装端减薄设备、外延设备、LPCVD设备

2023年2月26日  碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使 用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理，目前长晶设备

2024年4月18日  碳化硅SiC的生产工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。 每一步都需要精确控

2022年12月1日  在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。

碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。 碳化硅的具体生产工艺包括 加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状

2024年3月15日  工业用碳化硅模块 碳化硅(SiC)正在彻底改变电力电子领域,为从汽车到可再生能源的广泛应用提供先进的解决方案。 瑞能半导体意识到这一技术的重要性正与日俱

1天前 (一)附图 1场址位置图 2工艺流程图 3总平面布置图 (二)附表 1庆阳 无压碳化硅陶瓷生产线扩建 2000万套3C类消费性电子及金属零部件制造1天前 (一)附图 1场址位置图 2工

碳化硅粉是冶金、建材和化工等行业制造高温炉、窑、坩埚等耐火材料的重要原料。 碳化硅粉的耐高温性能超过 2000°C，适用于生产炉衬砖和炉衬板，可有效延长高温炉的使用寿命并降低生产成本。 磨料 碳化硅粉末是制造用于加工金属、陶瓷、石材和其他

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

2010年10月5日  碳化硅生产工艺设备布局图 上海破碎机厂家 碳化硅生产工艺设备布局图科锐NCREE宣布升级一款先进的工艺设计套件PDK,该款PDK基于安捷伦的ADSADS软件,能够为微波和无线射频设计工程师提供研发碳化硅衬底氮化

2023年7月14日  面，公司8英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。 3）半导体零部件：上游延伸零部件业务，平台化布局空间打开。公司向上游延伸坩锅、金刚 线、阀门、管接头、磁流体等半导体零部件业务，有望进入加速成长期。

2023年7月24日  精密激光加工设备 领军者 公司在激光精密加工领域深耕十几年，聚焦泛半导体、新型电子及新能 划片向切片拓展，2022 年公司正式推出碳化硅晶锭激光切片技术，工艺 研发和测试验证已完成，并取得头部客户批量订单。 巨量转移设备：巨量

2023年5月21日  碳化硅器件生产各工艺 环节关键设备 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入

2023年12月6日  1、全球碳化硅行业市场规模 碳化硅的优势是其高效率、低能耗和耐高温的特性，这些优点使得碳化硅成为新一代功率器件的理想选择。 在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用的推动下，碳化硅的需求量不断增加。 数据显示，2022年全球碳化硅行业市

2023年1月27日  生产车间图 年产20000片碳化硅氮化硅高性能陶瓷片只有一张生产车间图纸，是原创的，有还有说明书，由于总厂分布图及生产工艺流程图不需要绘制，下载时请注意，生产车间图有线管布置，还有设备规格型号并有表明表达出来，还标出尺寸。

2024年3月22日  PVA TePla亮相SEMICONChina2024 “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟稳定的工艺设备，进一步帮助合作伙伴提升市场竞争力。 ”德国PVA TePla集团半导体业务中国区负责人谢秀红表示

2024年2月27日  碳化硅衬底产业全景：国内外主要厂商分布图中国在碳化硅衬底领域的布局显示出了其对半导体材料自主供应链建设的重视。随着全球对高效能、高耐用性电子器件需求的增加，碳化硅衬底由于其在高温、高电压和高频率应用中的优异性能而变得越来越重要。

2023年4月26日  1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，

碳化硅生产工艺工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦(无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO—46。 8kJ(1120kcal）1原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2〉99％，无烟煤的挥发分〈5％2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般

2 天之前  IGBT 制造流程主要是包括芯片设计，晶圆制造，封装测试；IGBT芯片的制程正面和标准VDMOS差异不大，背面工艺包括:1) 背面减薄；2) 背面注入；3) 背面清洗；4)背面金属化；5) 背面Alloy；今天介绍下 IGBT 封装的工艺流程及其设备。 在阅读本文之前，欢迎识

2021年7月21日  碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和

2023年2月1日  半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，包括HEMT等 氮化镓射频器件，主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。

2024年1月18日  碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法

2022年12月1日  碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特

2023年11月16日  碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。 碳化硅

2023年12月29日  硅生长及加工设备领先企业，业绩稳步增长 11 晶硅生长及加工设备行业多年老将，为行业领先企业 投资并购扩大业务版图，持续研发能力筑牢技术壁垒。公司成立于2007年，是全 国领先的晶硅生长和加工设备供应商。2008年成功研制国内第一台单晶多线

2023年8月9日  我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类： 平面结构 和 沟槽结构，它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。

2016年2月22日  工艺流程图、设备布局图doc 青岛奇香源食品有限公司熏煮香肠火腿制品生产工艺流程图原料（冷冻库）解冻清洗修整配料斩拌腌制滚揉关键控制点：CCP1：原料、辅料、包装物料入厂检验为关键控制点一，重点检查供应商资质、检验报告，原料肉的质量应

2022年2月12日  年产10000T大米加工厂工艺设计，生产车间工艺布置，大米加工厂设备布局图 1、产品方案、产品规格及班产量 大米加工副产物小米、米糠、麸子直接出售给附近村民或者是养殖厂，在合适时机进行深加工，提高其价值。 2、年产10000T大米加工厂主要产

2024年4月17日  市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？ 拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势 这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。 IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。 但随着碳化硅应用节奏加快，功率

碳化硅衬底制备工艺及性能优势5 研磨抛光 :研磨抛光是将衬底表面 加工至原子级光滑平面 ，衬底的表面状态，例 如表面粗糙度，厚度均 匀性都会直接影响外延 工艺的质量6 清洗检测 :用于去除加工过程中残 留的颗粒物以及金属杂 质最终检测，可以获取

2022年8月26日  去年，有媒体将2021年誉为“碳化硅爆发元年”。到了今年，又有人将2022年誉为“碳化硅功率芯片应用的新元年”，不知道明年还能不能提出新的口号（此处参考“21世纪是生物学的世纪”）。资本市场也是闻风而动，与碳化硅擦点边的标的都是扶摇直上。

2023年11月30日  虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化

德龙激光2005 年由赵裕兴博士创办,2022年于上交所科创板上市。 主营业务为精密激光加工设备及激光器的研发、生产、销售,并为客户提供激光设备租赁和激光加工服务。 公司持续开发迭代、拓展应用领域,目前产品应用于半导体、显示、精密电子和新能源领域

2200 2400 第八章：设备布置图 用以表达厂房建筑物内外设备安装位置 的图样称为设备布置图。 意义：根据生产工艺的要求与场地现场的地形地貌，将 工艺流程设计所确定的全部设备，并考虑不同设备的具 体情况与要求，在厂房建筑物的内外进行合理的布置

2022年5月11日  一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 来源：中国粉体网 山川 37815人阅读 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 还有2页，登录查看全文 推荐 9 作者：山川

2023年11月9日  刚线研发。③碳化硅衬底：启动25万片6寸、5 8寸衬底片扩产项目。 盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线，第二曲线是 光伏耗材和半导体耗材的放量，第三曲线是半导体设备和碳化硅设备的完 全放量。

2 天之前  本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨

2023年12月21日  切割是碳化硅晶棒第一道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平。随着市场对碳化硅衬底的质量和良率要求越来越严格，切割工艺也从传统的内圆锯切割和金刚石带锯、电火花切割等手段转变到线锯切割（包括游离磨砂线锯切割和金刚石线锯切割），目前各大厂商也有在验证或关注下一代的

2023年12月20日  相关报告 晶盛机电研究报告：长晶装备龙头平台化布局大放异彩pdf 晶盛机电专题报告：迈向半导体+碳化硅设备龙头，设备+零部件协同布局铸造高壁垒pdf 晶盛机电（）研究报告：泛半导体“设备+材料”龙头，平台型布局空间持续打开pdf 晶盛机电（）研究报告：设备+材料双轮驱动，平台

2020年10月21日  碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状 在我国进行产业升级的浪潮中，SiC材料以其独特的性能得到了越来越多的应用 (如: 高功率电力电子

2023年8月8日  2、碳化硅器件厚积薄发，国内布局多点开花 碳化硅相比硅器件，在高功率、开关频率和损耗等性能方面更加优异，发展具备确定性。 据Yole数据，碳化硅2021年全球市场规模达109亿美金，预计到2027年将达6297亿美金，CAGR高达39%。

3 天之前  在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。 目前主流的切割工艺大体

2 天之前  碳化硅衬底加工过程中，除了改善切割工艺外，一般还会在切割时会留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。 END 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。