2024年3月22日  该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅

2024年4月25日  碳化硅（SiC）的生产设备主要包括以下几类： 长晶炉 ：用于SiC单晶的生长，是SiC生产中最关键的设备之一。 由于SiC需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生

2024年3月22日  打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，

2024年4月30日  碳化硅基氮化镓射频器件具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下高效能、高功率密度的优势，能够帮助5G基站实现轻量化、有源化、多通道化，成为5G基

东尼电子（）则在2022年8月的调研中回复，公司刚刚切换了碳化硅的生产路线，其碳化硅项目一直到2023年12月才能投产。 我们可以发现，当前A股的碳化硅标的，要不产能还停留在每个月几千片的水平，要不还在

碳化硅部件（CVDSiC） 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广

2024年3月11日  Address/浙江省绍兴市柯桥区柯桥科技园起航楼1号楼 Tel/联系 Mail/ shaoxingjingcai@163 绍兴晶彩科技有限公司是一家专注于高纯碳化硅粉体、半导体材料制造的企业。 拥有先进的生产设备和技术，致力于提供高品质的产品和优质的服务。

东尼电子（）则在2022年8月的调研中回复，公司刚刚切换了碳化硅的生产路线，其碳化硅项目一直到2023年12月才能投产。 我们可以发现，当前A股的碳化硅标的，要不产能还停留在每个月几千片的水平，要不还在

2024年3月22日  该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体，计划于2024年第二季度投入市场。 德国PVA TeP

2022年3月2日  2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 95 亿元 人民币，总建筑面积 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，计划于 2022 年年初完工投产，建成后 可年产

2023年11月3日  宇晶股份近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳定性等特点，其材料加工难度大，制作成本高。近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平

2024年3月12日  苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH

2023年7月14日  与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和

碳化硅部件（CVDSiC） 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的

2024年3月28日  作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 专为

碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主

2024年3月20日  今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长：获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约；获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议；究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？

2024年4月17日  市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？ 拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势 这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。 IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。 但随着碳化硅应用节奏加快，功率

2019年2月26日  传统的艾奇逊法 碳化硅 冶炼炉的外形像一个长方形的槽子，它是由耐火砖砌筑成的炉床。 两组石墨电极穿过端墙深入炉床之中，专用的石墨粉炉芯体只配在电极之间，提供了一条导电通路，通电时产生很大的热量。炉芯体周围装盛由硅质原料、石油焦和木屑等组成的混合料，外部则是保温料。

5 天之前  4月 23, 2024 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。 来源：南京大学官网 SiC不仅是关系国防安全的的重要

2021年7月21日  碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和

碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主创新的碳化硅外延设备。

苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设备及工艺，历经5年，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型

2024年3月29日  目前，国内碳化硅衬底迈过萌芽期，进入到规模化生产中。当前衬底环节面临全面降本的实际需求，市场对于碳化硅衬底设备的稳定工艺要求更高，因为这直接影响着长晶的良率高低以及自动化规模产出的一致性。针对上述核心需求，PVA TePla介绍了SiCN的

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注

2024年5月14日  一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技术突破。精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高的

2022年8月24日  碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。 以碳化硅功率器件为例，从单晶生长到形成衬底需耗时1 个月，从外延生长到晶圆前后段加工完成需耗时612 个月，从器件制造再到上车验证更需12 年时间。对于碳化硅功率器件IDM 厂商而言，从工业

2023年6月22日  碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

2020年7月2日  碳化硅烧结炉 用途:中频碳化硅烧结炉是一种间歇式感应加热炉，主要用于硬质合金、粉沫冶金行业生产各种粒度的碳化硅粉、碳化硅密封陶瓷烧结、无压碳化硅烧结、碳化钛粉、碳化钒粉等金属粉末及复合金属粉末。 特点:1碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的

2024年3月22日  PVA TePla亮相SEMICONChina2024 “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟稳定的工艺设备，进一步帮助合作伙伴提升市场竞争力。 ”德国PVA TePla集团半导体业务中国区负责人谢秀红表示

2023年12月21日  2、日本高鸟是液晶及半导体自动化生产装置行业的知名公司，目前可以占据碳化硅切割设备70%以上的份额。6月，日本高鸟社长增田诚接受日媒采访时透露，他们已将SiC专用线锯技术商业化，并且已获得了连续大订单。

碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的关键设备，经该设备反应烧结的碳化硅产品，具有优良的工艺性能。碳化硅烧结炉力度均匀，反应完全、化合含量高、质量好；配有脱蜡系统，强化脱蜡效果，炉内气氛更稳定；延长了碳毡及发热材料的使用寿命。采用阻性或感应加热，石墨管发热体寿命长，加热

2024年4月18日  浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 碳化硅（SiC）因卓越性能成为电力电子器件的理想材料。 其生产工艺涉及原料准备、热处理、晶体生长、切片打磨、器件制造、检测与封装等步骤。 SiC的应用前景广阔，为电力电子技术发展开辟新道路。 在半导体

2023年11月30日  虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化

2023年11月29日  项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产 、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设，一期预计投资 21 亿元，建成达产后，可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和

2021年7月21日  碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备

2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。 在图形化、刻蚀、化

2023年7月8日  现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确，如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能，才能实现弯道超车。 碳化硅市场竞争格局 目前而言，在碳化硅衬底